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- 发布日期:2024-01-10 17:34 点击次数:126
UF28150J
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编号:
937-UF28150J
制造商编号:
UF28150J
制造商:
MACOM
客户编号:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
数据表:
UF28150J 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: MACOM 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 16 A Vds-漏源极击穿电压: 65 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 100 MHz to 500 MHz 增益: 8 dB 输出功率: 150 W 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: 375-04 封装: Tray 商标: MACOM 配置: Dual Pd-功率耗散: 389 W 产品类型: RF MOSFET Transistors 工厂包装数量: 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 6 V 单位重量: 46.050 g
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290075 JPHTS: 854129000 KRHTS: 8541299000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 8541299900 ECCN: EAR99
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图像 制造商零件编号 描述 库存